لایه نشانی نازک سنسور گازی مبتنی برنیمه هادی اکسید قلع با روش غوطه وری
Authors
abstract
در این مقاله، طراحی و تولید نانو سنسور sno2 به روش غوطه وری برای تشخیص co2 در یک محیط گازی با استفاده از جذب سطحی گزارش شده است. علاوه بر این، به منظور آماده سازی محلول سل-ژل، محلول sncl2 به عنوان ماده اولیه و با غلظت های مختلف به منظور داشتن لایه های مختلف در ضخامت های متنوع انتخاب شده است. در پایان، اندازه گیریهاو آنالیزهای مختلف حساسیت بالا و کیفیت خوب نمونه ها را نشان می دهند.
similar resources
ساخت آندهای لایه نازک نانوساختار اکسید قلع آلاییده شده با فلز روی برای میکروباتری‌های یون- لیتیمی
در این تحقیق، لایه‌های نازک نانوساختار اکسید قلع خالص و آلاییده شده با فلز روی به روش لایه‌نشانی اشعه الکترونی لایه‌نشانی شدند. پراش اشعه ایکس از لایه‌های نازک ایجاد شده وجود اکسید قلع آمورف با ترکیب شیمیایی (SnO) را نشان داد. سیکل عملیات حرارتی در دمای °C 500 و به مدت 10 ساعت بر روی فیلم‌های نازک تشکیل شده انجام شد که منجر به ایجاد ساختار تتراگونال دی اکسید قلع (SnO2) نانوساختار شد. تصاویر میک...
full textطراحی وساخت حسگراکسید قلع با حساسیت بالا به روش سل ژل وتکنیک لایه نشانی چرخشی
In this paper, fabrication steps of a gas sensor based on the Sol-Gel method and spin-coating technique is reported for smoke detection. A system called" Spinner" at temperature 4000C¬¬ is employed to deposit a thinner sensitive sensor. To fabricate a thin layer of "Tin Oxide", lean Decoloured is deposited, and glass as the base substrate is used. A proce...
full textبررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم قلع
در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...
full textبررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین
In this paper, preparation and characterization of a-SiNx thin films deposited by LPCVD method from free radicals of TCS and NH3 gaseous system were investigated. These radicals are made by passing each of the precursor gases separately over Pt-Ir/Al2O3 catalyst at the temperature of 600 ᐤC. Kinetics of this process was investigated at different total pressures, NH3/TCS flow rate ratios and te...
full textMy Resources
Save resource for easier access later
Journal title:
مهندسی برق و الکترونیک ایرانجلد ۱۳، شماره ۴، صفحات ۶۵-۷۰
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023